VS4080AI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4080AI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: QIPAK
- Selección de transistores por parámetros
VS4080AI Datasheet (PDF)
vs4080ai.pdf

VS4080AI40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 80 A Fast Switching and High efficiencyQIPAK 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVS4080AI QIPAK
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AM3428N | 2SK299 | SIS892ADN | NVMFS5C604NL | IPB072N15N3G | IRHMK57260SE | SHD225602
History: AM3428N | 2SK299 | SIS892ADN | NVMFS5C604NL | IPB072N15N3G | IRHMK57260SE | SHD225602



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor