Справочник MOSFET. VS4080AI

 

VS4080AI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4080AI
   Маркировка: 4080AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: QIPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4080AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  cn vanguard
 vs4080ai.pdf pdf_icon

VS4080AI

VS4080AI40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 80 A Fast Switching and High efficiencyQIPAK 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVS4080AI QIPAK

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N6792U | SIF4N65F | IRFS7530PBF | HM24N20KA

 

 
Back to Top

 


 
.