VS4080AI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VS4080AI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: QIPAK
Аналог (замена) для VS4080AI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VS4080AI даташит
vs4080ai.pdf
VS4080AI 40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 80 A Fast Switching and High efficiency QIPAK 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS4080AI QIPAK
Другие MOSFET... VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , IRF3710 , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS .
History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C
History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513 | JCS10N70C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor

