VS4080AI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VS4080AI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: QIPAK
Аналог (замена) для VS4080AI
VS4080AI Datasheet (PDF)
vs4080ai.pdf
VS4080AI40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 80 A Fast Switching and High efficiencyQIPAK 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVS4080AI QIPAK
Другие MOSFET... VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , IRF3710 , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor


