VS4410AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4410AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de VS4410AT MOSFET
VS4410AT Datasheet (PDF)
vs4410at.pdf

VS4410AT 100V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description VS4410AT designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design are a 175C junction opera
Otros transistores... VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , 7N65 , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A .
History: IAUC120N04S6L008 | SJMN850R80ZD | R6024ENX | TPA60R160M | PJA3415AE | FDD86252
History: IAUC120N04S6L008 | SJMN850R80ZD | R6024ENX | TPA60R160M | PJA3415AE | FDD86252



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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