VS4410AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4410AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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VS4410AT datasheet
vs4410at.pdf
VS4410AT 100V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description VS4410AT designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design are a 175 C junction opera
Otros transistores... VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , 10N60 , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A .
History: WMO14N60C4 | WML13N65EM | 2N60A
History: WMO14N60C4 | WML13N65EM | 2N60A
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Liste
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