Справочник MOSFET. VS4410AT

 

VS4410AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4410AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VS4410AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4410AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  cn vanguard
 vs4410at.pdf pdf_icon

VS4410AT

VS4410AT 100V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description VS4410AT designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design are a 175C junction opera

Другие MOSFET... VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , IRFB4227 , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A .

History: 2SK1081 | PM597BA | CES2308 | CSD23381F4 | DMN2046U | MS6N90 | SSM6J08FU

 

 
Back to Top

 


 
.