STU9916L Todos los transistores

 

STU9916L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU9916L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU9916L datasheet

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STU9916L

Green Product STU/D9916L a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 25 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 25A 30V 35 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 2

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STU9916L

STU9916L www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOL

Otros transistores... 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , 2N7000 , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S .

 

 

 


 
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