STU9916L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STU9916L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Аналог (замена) для STU9916L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STU9916L даташит
stu9916l std9916l.pdf
Green Product STU/D9916L a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 25 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 25A 30V 35 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 2
stu9916l.pdf
STU9916L www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOL
Другие MOSFET... 2SK3057 , 2SK3469-01MR , FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , 2N7000 , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda


