VS6412ASL Todos los transistores

 

VS6412ASL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS6412ASL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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VS6412ASL datasheet

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VS6412ASL

VS6412ASL 60V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16.0 m Enhancement mode I D 10 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part

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VS6412ASL

VS6412AE 65V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

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