VS6412ASL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS6412ASL
Маркировка: 6412AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 8.5 ns
Выходная емкость (Cd): 91 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
VS6412ASL Datasheet (PDF)
vs6412asl.pdf
VS6412ASL 60V/10A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16.0 m Enhancement mode I D 10 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part
vs6412ae.pdf
VS6412AE 65V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 30 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
