VS6880AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS6880AT
   Código: 6880AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6880AT

VS6880AT Datasheet (PDF)

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vs6880at.pdf

VS6880AT 68V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 68 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.1 m N-Channel10V Logic Level Control I D 105 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche Tested TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6880AT TO-220AB

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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