VS6880AT Todos los transistores

 

VS6880AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS6880AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS6880AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn vanguard
 vs6880at.pdf pdf_icon

VS6880AT

VS6880AT 68V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 68 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.1 m N-Channel10V Logic Level Control I D 105 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche Tested TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6880AT TO-220AB

Otros transistores... VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , AO3400 , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS .

 

 
Back to Top

 


 
.