VS6880AT - описание и поиск аналогов

 

VS6880AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS6880AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VS6880AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS6880AT даташит

 ..1. Size:715K  cn vanguard
 vs6880at.pdf pdf_icon

VS6880AT

VS6880AT 68V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 68 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.1 m N-Channel 10V Logic Level Control I D 105 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche Tested TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6880AT TO-220AB

Другие MOSFET... VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , AO3401 , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS .

History: NCE60H10F | AP4961GM | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.