Справочник MOSFET. VS6880AT

 

VS6880AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS6880AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VS6880AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS6880AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn vanguard
 vs6880at.pdf pdf_icon

VS6880AT

VS6880AT 68V/105A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 68 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.1 m N-Channel10V Logic Level Control I D 105 A Enhancement mode Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V 100% Avalanche Tested TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6880AT TO-220AB

Другие MOSFET... VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , AO3400 , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS .

History: CS9N80P

 

 
Back to Top

 


 
.