STU816S Todos los transistores

 

STU816S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU816S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU816S datasheet

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STU816S

Gre r r P Pr Pr Pro STU/D816S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 46 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 80V 20A 68 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I

Otros transistores... FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , 8205A , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S .

History: ECH8655R

 

 

 


 
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