Справочник MOSFET. STU816S

 

STU816S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU816S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU816S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU816S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  samhop
 stu816s std816s.pdf pdf_icon

STU816S

GrerrPPrPrProSTU/D816SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.46 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.80V 20A68 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SCH1331 | 12N65KL-TF

 

 
Back to Top

 


 
.