STU816S - описание и поиск аналогов

 

STU816S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU816S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU816S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU816S даташит

 ..1. Size:108K  samhop
 stu816s std816s.pdf pdf_icon

STU816S

Gre r r P Pr Pr Pro STU/D816S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 46 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 80V 20A 68 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I

Другие MOSFET... FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , 8205A , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.