STU816S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STU816S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
Аналог (замена) для STU816S
STU816S Datasheet (PDF)
stu816s std816s.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D816SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.46 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.80V 20A68 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I
Другие MOSFET... FCB20N60F , FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , 2SK3878 , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor