VS8205BH Todos los transistores

 

VS8205BH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS8205BH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de VS8205BH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS8205BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  cn vanguard
 vs8205bh.pdf pdf_icon

VS8205BH

VS8205BH 16V/5.5A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 16 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 28 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 37 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 5.5 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant SOT23-6L Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS8205BH SOT23-

Otros transistores... VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , IRF9540N , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS .

History: P2003BDG

 

 
Back to Top

 


 
.