VS8205BH - описание и поиск аналогов

 

VS8205BH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS8205BH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для VS8205BH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS8205BH даташит

 ..1. Size:781K  cn vanguard
 vs8205bh.pdf pdf_icon

VS8205BH

VS8205BH 16V/5.5A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 16 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 28 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 37 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 5.5 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant SOT23-6L Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS8205BH SOT23-

Другие MOSFET... VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , SKD502T , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS .

History: NTE4153NT1G | SI2325DS | NDT6N70 | IRF7700

 

 

 

 

↑ Back to Top
.