Справочник MOSFET. VS8205BH

 

VS8205BH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS8205BH
   Маркировка: VS17
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для VS8205BH

 

 

VS8205BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  cn vanguard
 vs8205bh.pdf

VS8205BH VS8205BH

VS8205BH 16V/5.5A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 16 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 28 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 37 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 5.5 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant SOT23-6L Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS8205BH SOT23-

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top