Справочник MOSFET. VS8205BH

 

VS8205BH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS8205BH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для VS8205BH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS8205BH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  cn vanguard
 vs8205bh.pdf pdf_icon

VS8205BH

VS8205BH 16V/5.5A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 16 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 28 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 37 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 5.5 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant SOT23-6L Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS8205BH SOT23-

Другие MOSFET... VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , IRF9540N , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS .

History: AP55T06GI | H6N70U | SLU5N65S | LND150N3 | SPU07N60S5 | SI8424CDB | BLP08N10G-D

 

 
Back to Top

 


 
.