VSB012N03MS Todos los transistores

 

VSB012N03MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSB012N03MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN3.3X3.3
 

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VSB012N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  cn vanguard
 vsb012n03ms.pdf pdf_icon

VSB012N03MS

VSB012N03MS 30V/38A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 38 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TDFN3.3x3.3 Fast Switching 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

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History: SI1922EDH | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | 2SK2207 | DH100P30AE | NVTR4502P

 

 
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