Справочник MOSFET. VSB012N03MS

 

VSB012N03MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSB012N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TDFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для VSB012N03MS

 

 

VSB012N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  cn vanguard
 vsb012n03ms.pdf

VSB012N03MS VSB012N03MS

VSB012N03MS 30V/38A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 38 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TDFN3.3x3.3 Fast Switching 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top