VSB012N03MS - аналоги и даташиты транзистора

 

VSB012N03MS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSB012N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для VSB012N03MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSB012N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  cn vanguard
 vsb012n03ms.pdf pdf_icon

VSB012N03MS

VSB012N03MS 30V/38A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 38 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TDFN3.3x3.3 Fast Switching 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

Другие MOSFET... VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , K4145 , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS .

History: FC4B21300L | CRTD055N03L | CRTD084NE6N

 

 
Back to Top

 


 
.