VSD090N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSD090N10MS
Código: 090N10M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSD090N10MS
VSD090N10MS Datasheet (PDF)
vsd090n10ms.pdf
VSD090N10MS 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type
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Liste
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