VSD090N10MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSD090N10MS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: TO252
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VSD090N10MS datasheet
vsd090n10ms.pdf
VSD090N10MS 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 78 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type
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History: 2SK2315 | SI1065X | SPC4N65G | 2SK2272-01R
History: 2SK2315 | SI1065X | SPC4N65G | 2SK2272-01R
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Liste
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