VSD090N10MS Todos los transistores

 

VSD090N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSD090N10MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VSD090N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  cn vanguard
 vsd090n10ms.pdf pdf_icon

VSD090N10MS

VSD090N10MS 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

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History: IRF7456PBF-1 | UP9971L-D08-T | DH100P30 | VBM1603 | UT9564L-TN3-R | IRF7580M | BL4N80K-D

 

 
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