VSD090N10MS Todos los transistores

 

VSD090N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSD090N10MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VSD090N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  cn vanguard
 vsd090n10ms.pdf pdf_icon

VSD090N10MS

VSD090N10MS 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

Otros transistores... VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , IRF530 , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS .

History: SST202 | STD5NK50Z | AO4932 | AM45N06-16D | UT8205AL-S08-R | NCE85H21TC

 

 
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