VSD090N10MS - аналоги и даташиты транзистора

 

VSD090N10MS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSD090N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VSD090N10MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD090N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  cn vanguard
 vsd090n10ms.pdf pdf_icon

VSD090N10MS

VSD090N10MS 100V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),typ@VGS=4.5V 82 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

Другие MOSFET... VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , IRF530 , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS .

History: CEF13N5 | IPS075N03L | 2SK3521-01S | GSM3411 | HPD160N06STA | HPD025N03STA | AP9575GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.