VSE090N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSE090N10MS
   Código: 090N10M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

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VSE090N10MS Datasheet (PDF)

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vse090n10ms.pdf

VSE090N10MS 100V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 83 m Enhancement mode I D 14 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

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Liste

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