VSE090N10MS Todos los transistores

 

VSE090N10MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSE090N10MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VSE090N10MS datasheet

 ..1. Size:611K  cn vanguard
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VSE090N10MS

VSE090N10MS 100V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 78 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 83 m Enhancement mode I D 14 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

Otros transistores... VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , AON6380 , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA .

History: FDS8840NZ | TPCS8204 | FDS86252 | TPCS8101 | TPCS8102 | FDS8638 | TPCS8105

 

 

 

 

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