VSE090N10MS - описание и поиск аналогов

 

VSE090N10MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VSE090N10MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VSE090N10MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE090N10MS даташит

 ..1. Size:611K  cn vanguard
 vse090n10ms.pdf pdf_icon

VSE090N10MS

VSE090N10MS 100V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 78 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 83 m Enhancement mode I D 14 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

Другие MOSFET... VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , AON6380 , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA .

History: BLV840 | ME2333-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.