Справочник MOSFET. VSE090N10MS

 

VSE090N10MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSE090N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VSE090N10MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSE090N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn vanguard
 vse090n10ms.pdf pdf_icon

VSE090N10MS

VSE090N10MS 100V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 78 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 83 m Enhancement mode I D 14 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type

Другие MOSFET... VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , IRLZ44N , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA .

History: OSG65R900FTF | HAT2085T | DMN313DLT | 2SK3312 | IXTT52N30P | IXTT30N50L | RJK03F9DNS

 

 
Back to Top

 


 
.