FCD9N60NTM Todos los transistores

 

FCD9N60NTM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD9N60NTM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FCD9N60NTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  fairchild semi
 fcd9n60ntm.pdf pdf_icon

FCD9N60NTM

February 2010SupreMOSTMFCD9N60NTMN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mFeatures Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologi

Otros transistores... FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , IRFP250N , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 .

History: STD10N10-1 | HUF75623P3 | HUF75309P3 | AON3806 | SSG4394N | HGP040N06S | STS4DPF30L

 

 
Back to Top

 


 
.