FCD9N60NTM Todos los transistores

 

FCD9N60NTM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCD9N60NTM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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FCD9N60NTM datasheet

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FCD9N60NTM

February 2010 SupreMOSTM FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385m Features Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologi

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