FCD9N60NTM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCD9N60NTM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 92.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 17.8 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.385 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
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FCD9N60NTM Datasheet (PDF)
..1. Size:775K fairchild semi
fcd9n60ntm.pdf
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February 2010SupreMOSTMFCD9N60NTMN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mFeatures Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologi
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History: 6N60KL-TN3-R
