FCD9N60NTM Todos los transistores

 

FCD9N60NTM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCD9N60NTM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 92.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.8 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.385 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FCD9N60NTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  fairchild semi
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FCD9N60NTM

February 2010SupreMOSTMFCD9N60NTMN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mFeatures Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologi

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History: JMPF840BJ

 

 
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