FCD9N60NTM - описание и поиск аналогов

 

FCD9N60NTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCD9N60NTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для FCD9N60NTM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD9N60NTM даташит

 ..1. Size:775K  fairchild semi
 fcd9n60ntm.pdf pdf_icon

FCD9N60NTM

February 2010 SupreMOSTM FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385m Features Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- nologi

Другие MOSFET... FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , 7N65 , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.