Справочник MOSFET. FCD9N60NTM

 

FCD9N60NTM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCD9N60NTM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FCD9N60NTM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCD9N60NTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  fairchild semi
 fcd9n60ntm.pdf pdf_icon

FCD9N60NTM

February 2010SupreMOSTMFCD9N60NTMN-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mFeatures Description RDS(on) = 0.330 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge (Typ.Qg = 17.8nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-nologi

Другие MOSFET... FCB36N60N , 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , STP75NF75 , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 .

History: SM6014NSF | IRF9Z22

 

 
Back to Top

 


 
.