VSF013N10MS Todos los transistores

 

VSF013N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSF013N10MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

VSF013N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  cn vanguard
 vsf013n10ms.pdf pdf_icon

VSF013N10MS

VSF013N10MS 100V/43A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 100 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Fast Switching I D 43 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-220F 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VSF013N10MS TO

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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