VSF013N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSF013N10MS
   Código: 013N10M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 47 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 43 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 82 nC
   Tiempo de subida (tr): 46 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 255 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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VSF013N10MS Datasheet (PDF)

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vsf013n10ms.pdf

VSF013N10MS 100V/43A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 100 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Fast Switching I D 43 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-220F 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VSF013N10MS TO

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