Справочник MOSFET. VSF013N10MS

 

VSF013N10MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSF013N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для VSF013N10MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSF013N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  cn vanguard
 vsf013n10ms.pdf pdf_icon

VSF013N10MS

VSF013N10MS 100V/43A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 100 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Fast Switching I D 43 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-220F 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VSF013N10MS TO

Другие MOSFET... VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , AO4407 , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS .

History: MTP2N80 | TPCA8A09-H | P0770ETFS | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.