VSF600N70HS Todos los transistores

 

VSF600N70HS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSF600N70HS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

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VSF600N70HS datasheet

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VSF600N70HS

VSF600N70HS 700V/8A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 700 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 520 m Extremely low gate charge I D 8 A 100% avalanche tested TO-220F Super Junction Technology Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free Part ID Package Type Marking Tube Information VSF600N70HS TO-220F 600N70H 50pcs/Tube Maximum ratings, at TA =25 C, unless o

Otros transistores... VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , CS150N03A8 , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS .

History: 2SJ79 | ME2N7002D | CM12N60AF | 2N65KG-TN3-R

 

 

 

 

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