VSF600N70HS Todos los transistores

 

VSF600N70HS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSF600N70HS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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VSF600N70HS Datasheet (PDF)

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VSF600N70HS

VSF600N70HS700V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 700 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 520 m Extremely low gate chargeI D 8 A 100% avalanche testedTO-220F Super Junction Technology Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen freePart ID Package Type Marking Tube InformationVSF600N70HS TO-220F 600N70H 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless o

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History: SI4418DY | SLP40N26C | IXFH170N10P

 

 
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