Справочник MOSFET. VSF600N70HS

 

VSF600N70HS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSF600N70HS
   Маркировка: 600N70H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для VSF600N70HS

 

 

VSF600N70HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:515K  cn vanguard
 vsf600n70hs.pdf

VSF600N70HS VSF600N70HS

VSF600N70HS700V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 700 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 520 m Extremely low gate chargeI D 8 A 100% avalanche testedTO-220F Super Junction Technology Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen freePart ID Package Type Marking Tube InformationVSF600N70HS TO-220F 600N70H 50pcs/TubeMaximum ratings, at TA =25C, unless o

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top