VSI008N10MS Todos los transistores

 

VSI008N10MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSI008N10MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO251

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VSI008N10MS datasheet

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VSI008N10MS

VSI008N10MS 100V/94A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Enhancement mode I D 94 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-251 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Par

Otros transistores... VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , NCEP15T14 , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC .

History: 2SJ529S | 2SJ461A | NTD4810N

 

 

 

 

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