VSI008N10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSI008N10MS
Código: 008N10M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 94 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 46 nC
Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1155 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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VSI008N10MS Datasheet (PDF)
vsi008n10ms.pdf
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VSI008N10MS 100V/94A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Enhancement mode I D 94 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-251 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Par
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