Справочник MOSFET. VSI008N10MS

 

VSI008N10MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSI008N10MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для VSI008N10MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSI008N10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  cn vanguard
 vsi008n10ms.pdf pdf_icon

VSI008N10MS

VSI008N10MS 100V/94A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Enhancement mode I D 94 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-251 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Par

Другие MOSFET... VSD007N06MS , VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , IRFP450 , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | PA567JA | FDS6694

 

 
Back to Top

 


 
.