VSI008N10MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSI008N10MS
Маркировка: 008N10M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 7.2 ns
Выходная емкость (Cd): 1155 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для VSI008N10MS
VSI008N10MS Datasheet (PDF)
vsi008n10ms.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VSI008N10MS 100V/94A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.8 m Enhancement mode I D 94 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-251 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Par
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .