VSI013N08MS Todos los transistores

 

VSI013N08MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSI013N08MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

VSI013N08MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cn vanguard
 vsi013n08ms.pdf pdf_icon

VSI013N08MS

VSI013N08MS 80V/66A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 80 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 66 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251 High conversion efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking info

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI3803PBF | IMZ120R350M1H | NCE80H12 | TMU7N65H

 

 
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