VSI013N08MS - описание и поиск аналогов

 

Аналоги VSI013N08MS. Основные параметры


   Наименование производителя: VSI013N08MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для VSI013N08MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSI013N08MS даташит

 ..1. Size:337K  cn vanguard
 vsi013n08ms.pdf pdf_icon

VSI013N08MS

VSI013N08MS 80V/66A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 80 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 66 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251 High conversion efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking info

Другие MOSFET... VSD013N10MS , VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , AON7506 , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS .

 

 
Back to Top

 


 
.