Справочник MOSFET. VSI013N08MS

 

VSI013N08MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VSI013N08MS
   Маркировка: 013N08M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   trⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для VSI013N08MS

 

 

VSI013N08MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cn vanguard
 vsi013n08ms.pdf

VSI013N08MS VSI013N08MS

VSI013N08MS 80V/66A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 80 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D 66 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251 High conversion efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking info

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top