VSI080N06MS Todos los transistores

 

VSI080N06MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSI080N06MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251S
 

 Búsqueda de reemplazo de VSI080N06MS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VSI080N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  cn vanguard
 vsi080n06ms.pdf pdf_icon

VSI080N06MS

VSI080N06MS 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),typ@VGS=10V 68 m N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 85 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251-S Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSI080N06MS TO-251-S 080N06 8

Otros transistores... VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , 20N50 , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS .

History: NTMFS4925N | SPP80N05L | FDM100-0045SP | FMV10N80E | LSGE10R080W3 | HUF75831SK8T | TD422BL

 

 
Back to Top

 


 
.