VSI080N06MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSI080N06MS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251S
Búsqueda de reemplazo de VSI080N06MS MOSFET
VSI080N06MS Datasheet (PDF)
vsi080n06ms.pdf

VSI080N06MS 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),typ@VGS=10V 68 m N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 85 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251-S Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSI080N06MS TO-251-S 080N06 8
Otros transistores... VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , 20N50 , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS .
History: VS4802GKM | AP9962AGP | NCE020N30K | HGA155N15S | MCU20N06A | CS7N60A7HD | 2SK2441
History: VS4802GKM | AP9962AGP | NCE020N30K | HGA155N15S | MCU20N06A | CS7N60A7HD | 2SK2441



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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