VSI080N06MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSI080N06MS
Маркировка: 080N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO251S
Аналог (замена) для VSI080N06MS
VSI080N06MS Datasheet (PDF)
vsi080n06ms.pdf
VSI080N06MS 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),typ@VGS=10V 68 m N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 85 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251-S Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSI080N06MS TO-251-S 080N06 8
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100