Справочник MOSFET. VSI080N06MS

 

VSI080N06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSI080N06MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
 

 Аналог (замена) для VSI080N06MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSI080N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  cn vanguard
 vsi080n06ms.pdf pdf_icon

VSI080N06MS

VSI080N06MS 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),typ@VGS=10V 68 m N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 85 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251-S Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSI080N06MS TO-251-S 080N06 8

Другие MOSFET... VSD050P10MS , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , 20N50 , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS .

History: STV200N55F3 | SM2F07NSU | CEU83A3 | CED3172 | 2SK1546 | SPI15N60CFD

 

 
Back to Top

 


 
.