Справочник MOSFET. VSI080N06MS

 

VSI080N06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSI080N06MS
   Маркировка: 080N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSI080N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  cn vanguard
 vsi080n06ms.pdf pdf_icon

VSI080N06MS

VSI080N06MS 60V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),typ@VGS=10V 68 m N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 85 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-251-S Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSI080N06MS TO-251-S 080N06 8

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2667 | KHB3D0N90F1 | SGSP381 | OSG65R650P | ST2342

 

 
Back to Top

 


 
.