VSO011N06MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VSO011N06MS
   Código: 011N06M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VSO011N06MS

VSO011N06MS Datasheet (PDF)

..1. Size:784K cn vanguard
vso011n06ms.pdf

VSO011N06MS 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12.8 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking inform

9.1. Size:1173K cn vanguard
vso012n06ms.pdf

VSO012N06MS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11.5 m Enhancement mode I D 13 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant MSL: Level 1 compliant Tape and reel Part ID

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Liste

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