VSO011N06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VSO011N06MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP8
VSO011N06MS Datasheet (PDF)
vso011n06ms.pdf

VSO011N06MS 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12.8 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking inform
vso012n06ms.pdf

VSO012N06MS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11.5 m Enhancement mode I D 13 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant MSL: Level 1 compliant Tape and reel Part ID
Другие MOSFET... VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , 18N50 , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , VST007N07MS , VST012N06MS .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360