VSO011N06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VSO011N06MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VSO011N06MS Datasheet (PDF)
vso011n06ms.pdf

VSO011N06MS 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12.8 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking inform
vso012n06ms.pdf

VSO012N06MS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11.5 m Enhancement mode I D 13 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant MSL: Level 1 compliant Tape and reel Part ID
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360