STU802S Todos los transistores

 

STU802S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU802S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU802S datasheet

 ..1. Size:123K  samhop
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STU802S

Green Product STU/D802S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 35 @ VGS=10V 80V 25A TO-252 and TO-251 Package. 50 @ VGS=4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P

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STU802S

STU80N4F6 N-channel 40 V, 5.8 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a IPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STU80N4F6 40 V 6.3 m 80 A TAB Low gate charge 3 Very low on-resistance 2 1 High avalanche ruggedness IPAK Applications Switching applications Figure 1. Internal schematic diagram Description

Otros transistores... 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , IRFP250N , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S .

History: FCD9N60NTM | ECH8655R

 

 

 


 
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