STU802S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU802S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU802S

STU802S Datasheet (PDF)

..1. Size:123K samhop
stu802s std802s.pdf

GreenProductSTU/D802SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.35 @ VGS=10V80V 25A TO-252 and TO-251 Package.50 @ VGS=4.5VDDDGGSSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P

9.1. Size:1084K st
stu80n4f6.pdf

STU80N4F6N-channel 40 V, 5.8 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a IPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTU80N4F6 40 V 6.3 m 80 ATAB Low gate charge3 Very low on-resistance21 High avalanche ruggednessIPAKApplications Switching applicationsFigure 1. Internal schematic diagramDescription

Otros transistores... 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , K3569 , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: