STU802S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU802S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU802S Datasheet (PDF)
stu802s std802s.pdf

GreenProductSTU/D802SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.35 @ VGS=10V80V 25A TO-252 and TO-251 Package.50 @ VGS=4.5VDDDGGSSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P
stu80n4f6.pdf

STU80N4F6N-channel 40 V, 5.8 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a IPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTU80N4F6 40 V 6.3 m 80 ATAB Low gate charge3 Very low on-resistance21 High avalanche ruggednessIPAKApplications Switching applicationsFigure 1. Internal schematic diagramDescription
Другие MOSFET... 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , 2SK3878 , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S .
History: SI8810 | NTGS3443T1G | 2SK3572-Z | IRFI4510G | 2SK3926-01MR | BL12N60-P | TWE3139K
History: SI8810 | NTGS3443T1G | 2SK3572-Z | IRFI4510G | 2SK3926-01MR | BL12N60-P | TWE3139K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f