STU802S - описание и поиск аналогов

 

STU802S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU802S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU802S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU802S даташит

 ..1. Size:123K  samhop
 stu802s std802s.pdf pdf_icon

STU802S

Green Product STU/D802S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 35 @ VGS=10V 80V 25A TO-252 and TO-251 Package. 50 @ VGS=4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-P

 9.1. Size:1084K  st
 stu80n4f6.pdf pdf_icon

STU802S

STU80N4F6 N-channel 40 V, 5.8 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a IPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STU80N4F6 40 V 6.3 m 80 A TAB Low gate charge 3 Very low on-resistance 2 1 High avalanche ruggedness IPAK Applications Switching applications Figure 1. Internal schematic diagram Description

Другие MOSFET... 2SJ279 , FCD4N60 , IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , IRFP250N , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.