VSP020P06MS Todos los transistores

 

VSP020P06MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSP020P06MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VSP020P06MS datasheet

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VSP020P06MS

VSP020P06MS -60V/-65A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 13 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -65 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type

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