VSP020P06MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSP020P06MS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6
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VSP020P06MS datasheet
vsp020p06ms.pdf
VSP020P06MS -60V/-65A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 13 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -65 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type
Otros transistores... VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , 5N60 , VST007N07MS , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 .
History: FQB30N06L | MEM564C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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