VSP020P06MS Todos los transistores

 

VSP020P06MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSP020P06MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VSP020P06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cn vanguard
 vsp020p06ms.pdf pdf_icon

VSP020P06MS

VSP020P06MS -60V/-65A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 13 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -65 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type

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History: SUU10P10-195 | NVMFS6B14NL | IPA65R065C7

 

 
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