VSP020P06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VSP020P06MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VSP020P06MS Datasheet (PDF)
vsp020p06ms.pdf

VSP020P06MS -60V/-65A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 13 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -65 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SJ616 | IPP60R160P6 | IRF820SPBF | 4N65KL-TMS4-T | 10N70 | AOP605 | AM2330N
History: 2SJ616 | IPP60R160P6 | IRF820SPBF | 4N65KL-TMS4-T | 10N70 | AOP605 | AM2330N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent