VST007N07MS Todos los transistores

 

VST007N07MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VST007N07MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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VST007N07MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn vanguard
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VST007N07MS

VST007N07MS 80V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 80 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID

Otros transistores... VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , IRF2807 , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 , 2SK2923 .

History: TPC8082 | FTK3439KD | TPC8086 | MEM2301 | SI4401BDY | IRF7704G | TPC8088

 

 
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