VST007N07MS - описание и поиск аналогов

 

VST007N07MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VST007N07MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VST007N07MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VST007N07MS даташит

 ..1. Size:766K  cn vanguard
 vst007n07ms.pdf pdf_icon

VST007N07MS

VST007N07MS 80V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 80 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID

Другие MOSFET... VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , RFP50N06 , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 , 2SK2923 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.