Справочник MOSFET. VST007N07MS

 

VST007N07MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VST007N07MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VST007N07MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VST007N07MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn vanguard
 vst007n07ms.pdf pdf_icon

VST007N07MS

VST007N07MS 80V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 80 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID

Другие MOSFET... VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , SKD502T , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 , 2SK2923 .

History: SDF10N100JEB | CEF10N4 | IRFS610A | PMV45EN2 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.