VST007N07MS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VST007N07MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VST007N07MS
VST007N07MS Datasheet (PDF)
vst007n07ms.pdf

VST007N07MS 80V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 80 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID
Другие MOSFET... VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , SKD502T , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 , 2SK2907-01 , 2SK2908-01L , 2SK2908-01S , 2SK2918-01 , 2SK2923 .
History: TSM1N80SCT | BLP10N20J-P | SSM3K04FU | BL6N40-U | BSS159N | MTP9435L3 | AP60T06GJ-HF
History: TSM1N80SCT | BLP10N20J-P | SSM3K04FU | BL6N40-U | BSS159N | MTP9435L3 | AP60T06GJ-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet