STU670S Todos los transistores

 

STU670S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU670S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU670S datasheet

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STU670S

STU670S Green Product STD670S SamHop Microelectronics Corp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 15 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 60V 36A 23 @ VGS=4.5V G S STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

Otros transistores... IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , IRF9540 , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 .

 

 

 


 
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