STU670S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU670S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
STU670S Datasheet (PDF)
stu670s std670s.pdf
STU670SGreenProductSTD670SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.15 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 36A23 @ VGS=4.5VGSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE
Другие MOSFET... IRFD9020 , FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , IRF9540 , FCH25N60N , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918