FCH25N60N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCH25N60N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO247 TO3P TO3PF

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FCH25N60N datasheet

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FCH25N60N

January 2011 SupreMOS FCH25N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.126 Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.) at VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- n

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