FCH25N60N Todos los transistores

 

FCH25N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH25N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF

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Principales características: FCH25N60N

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FCH25N60N

January 2011 SupreMOS FCH25N60N tm N-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.126 Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.) at VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based tech- n

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