FCH25N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH25N60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
Búsqueda de reemplazo de FCH25N60N MOSFET
FCH25N60N Datasheet (PDF)
fch25n60n.pdf

January 2011SupreMOSFCH25N60NtmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.126Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.) at VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-n
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History: RJM0404JSC | IRFR420APBF
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Liste
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