Справочник MOSFET. FCH25N60N

 

FCH25N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH25N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH25N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  fairchild semi
 fch25n60n.pdf pdf_icon

FCH25N60N

January 2011SupreMOSFCH25N60NtmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.126Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.) at VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-n

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | 2SK3117 | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.