Справочник MOSFET. FCH25N60N

 

FCH25N60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH25N60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 216 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FCH25N60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH25N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  fairchild semi
 fch25n60n.pdf pdf_icon

FCH25N60N

January 2011SupreMOSFCH25N60NtmN-Channel MOSFET 600V, 25A, 0.126Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.) at VGS = 10V, ID = 12.5A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 57nC)process that differentiates it from preceding multi-epi based tech-n

Другие MOSFET... FCD5N60 , STU9916L , FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , 2N7000 , STU668S , FCH35N60 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N .

History: FCH47N60 | IXTV26N50PS | BFL4026 | FMH23N60ES | ATP212 | BSR58

 

 
Back to Top

 


 
.