SM180R65CT1TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM180R65CT1TL
Código: 180R65C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 168 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 36 nC
Tiempo de subida (tr): 39 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1480 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SM180R65CT1TL Datasheet (PDF)
5.1. Size:864K cn sps
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SM180R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 20A SM180R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.18(VGS=10V, ID=10A) technology. These user friendly dev
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