SM180R65CT1TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM180R65CT1TL
Маркировка: 180R65C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 168 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 1480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SM180R65CT1TL
SM180R65CT1TL Datasheet (PDF)
5.1. Size:864K cn sps
sm180r65c.pdf
sm180r65c.pdf
SM180R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 20A SM180R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.18(VGS=10V, ID=10A) technology. These user friendly dev
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SMIRF20N65T1TL
