FCH35N60 Todos los transistores

 

FCH35N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCH35N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
 

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FCH35N60 Datasheet (PDF)

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FCH35N60

February 2010SuperFETTMFCH35N60600V N-Channel MOSFET Features DescriptionSuperFETTM is Farichilds proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150Cvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ.RDS(on) = 0.079 balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

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