FCH35N60 Todos los transistores

 

FCH35N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCH35N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO247 TO3P TO3PF

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FCH35N60 datasheet

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FCH35N60

February 2010 SuperFETTM FCH35N60 600V N-Channel MOSFET Features Description SuperFETTM is Farichild s proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150 C voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ.RDS(on) = 0.079 balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

Otros transistores... FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , STP75NF75 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF .

 

 

 


 
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