FCH35N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCH35N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 312.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 139 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247 TO3P TO3PF
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCH35N60
FCH35N60 Datasheet (PDF)
fch35n60.pdf
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February 2010SuperFETTMFCH35N60600V N-Channel MOSFET Features DescriptionSuperFETTM is Farichilds proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150Cvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ.RDS(on) = 0.079 balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.
Otros transistores... FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , TK10A60D , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF .