FCH35N60 - описание и поиск аналогов

 

FCH35N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCH35N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF

Аналог (замена) для FCH35N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH35N60 даташит

 ..1. Size:1434K  fairchild semi
 fch35n60.pdf pdf_icon

FCH35N60

February 2010 SuperFETTM FCH35N60 600V N-Channel MOSFET Features Description SuperFETTM is Farichild s proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150 C voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ.RDS(on) = 0.079 balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

Другие MOSFET... FCD7N60 , STU816S , FCD9N60NTM , STU802S , FCH22N60N , STU670S , FCH25N60N , STU668S , STP75NF75 , STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.