Справочник MOSFET. FCH35N60

 

FCH35N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCH35N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 139 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO247 TO3P TO3PF
 

 Аналог (замена) для FCH35N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCH35N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1434K  fairchild semi
 fch35n60.pdf pdf_icon

FCH35N60

February 2010SuperFETTMFCH35N60600V N-Channel MOSFET Features DescriptionSuperFETTM is Farichilds proprietary, new generation of high 650V @ TJ = 150Cvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ.RDS(on) = 0.079 balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 139nC ) gate charge performance.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF521 | 2SK940 | IRFM250 | VN10LP

 

 
Back to Top

 


 
.