SM360R65CT2TL Todos los transistores

 

SM360R65CT2TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM360R65CT2TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM360R65CT2TL Datasheet (PDF)

 5.1. Size:633K  cn sps
 sm360r65c.pdf pdf_icon

SM360R65CT2TL

SM360R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36(VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev

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History: SI8465DB | BLF7G24LS-100 | IRF7316QPBF | FQU1N50TU | H01P13D | SST202 | 2SK3723

 

 
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