Справочник MOSFET. SM360R65CT2TL

 

SM360R65CT2TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM360R65CT2TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SM360R65CT2TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM360R65CT2TL Datasheet (PDF)

 5.1. Size:633K  cn sps
 sm360r65c.pdf pdf_icon

SM360R65CT2TL

SM360R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36(VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev

Другие MOSFET... SM32314D1RL , SM3400 , SM3401 , SM3402SRL , SM3404SRL , SM3407 , SM3415 , SM3416 , IRFB4227 , SM360R65CT1TL , SM4012T9RL , SM4132T9RL , SM4146T9RL , SM4184T9RL , SM4186T9RL , SM418T9RL , SM420R50CT9RL .

History: DMN3016LK3 | IXTA42N15T | DMN32D2LFB4

 

 
Back to Top

 


 
.