SM360R65CT2TL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM360R65CT2TL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SM360R65CT2TL
SM360R65CT2TL Datasheet (PDF)
sm360r65c.pdf

SM360R65C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 13A SM360R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson (max.) 0.36(VGS=10V, ID=6.5A) technology. These user friendly dev
Другие MOSFET... SM32314D1RL , SM3400 , SM3401 , SM3402SRL , SM3404SRL , SM3407 , SM3415 , SM3416 , IRFB4227 , SM360R65CT1TL , SM4012T9RL , SM4132T9RL , SM4146T9RL , SM4184T9RL , SM4186T9RL , SM418T9RL , SM420R50CT9RL .
History: SI5418DU | TPCP8302 | TPR65R160C | AP3986P
History: SI5418DU | TPCP8302 | TPR65R160C | AP3986P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287